官方手册的Description

The BTN7971B is a integrated high current half bridge for motor drive applications. It is part of the NovalithIC™
family containing one p-channel highside MOSFET and one n-channel lowside MOSFET with an integrated driver
IC in one package. Due to the p-channel highside switch the need for a charge pump is eliminated thus minimizing
EMI. Interfacing to a microcontroller is made easy by the integrated driver IC which features logic level inputs,
diagnosis with current sense, slew rate adjustment, dead time generation and protection against overtemperature,
overvoltage, undervoltage, overcurrent and short circuit.
The BTN7971B provides a cost optimized solution for protected high current PWM motor drives with very low
board space consumption.

BTN7971B是一款用于电机驱动应用的集成大电流半桥IC。它是NovalithIC™系列中的一员,包含一个p沟道上桥MOSFET和一个n沟道下桥MOSFET,并将驱动IC集成在了一个封装中。由于采用了p沟道上桥开关,因此该IC不需要充电泵,从而最大限度地减少了EMI(电磁干扰)。集成的驱动IC具有逻辑电平输入诊断与电流感应、回转率调整、死区时间生成和过温保护、过压、欠压、过流和短路保护等功能,这使得其与微控制器的连接变得容易。
BTN7971B为受保护的大电流PWM电机驱动提供了一个成本优化的解决方案,并且具有非常低的PCB空间消耗。

有些人可能会问Highside MOSFET和lowside MOSFET是什么意思——在全桥推挽电路中,有四个mos管,左端和右端,左端上面的是上桥,下面的是下桥。low side 一般指MOSFET接地,因其驱动信号是基于地信号的,在驱动电路中不需要加电压抬升电路。而如果是high side即常说的上桥驱动,其驱动信号是浮动的,需要电压抬升电路(给高电平)。关于这部分,说不定以后会额外写一篇文章来细讲全桥、半桥等电路的分析和搭建。

特性Features

  • 提高开关速度,减少开关损耗(没看出来)
  • 开关模式下的电流限制,减少了在过流情况下的功率损耗
  • 最小50A的电流限制水平。
  • 具有锁存行为的过温关断
  • 过压关断
  • 低电压关断
  • 具有逻辑电平输入的驱动电路
  • 可调节的回转率,优化EMI
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 通过AEC认证

BTN7971B目前只有一种封装:PG-TO263-7-1

有一说一,这个封装的尺寸其实挺大的,大小只比SPX2940小一点点。但是作为一个集成IC芯片,7971的高可靠性和引脚连接的便捷性能够弥补它在占用空间这方面的缺陷。大的封装底盘也意味着更好的散热性能和更好的EMI表现。

BTN7971B在一个封装中整合了三个独立的芯片:一个p沟道MOSFET、一个n沟道MOSFET以及一个驱动IC,从而形成了一个集成的高电流半桥。所有三个芯片都安装在一个共同的引线框架上,采用片上片和片下片技术(Chip on Chip & Chip by Chip)。电源开关采用垂直MOS技术,以确保最佳的通态电阻。由于采用p通道高压开关,因此7971B不需要电荷泵,从而最大限度地减少了EMI,保证了和微控制器的连接效能。BTN7971B可与其他BTN7971B组合,形成H桥和三相驱动配置电路。

(待续)


在?摸摸鱼